RM24C128DS-LSNI-B

RM24C128DS-LSNI-B

RM24C128DS-LSNI-B

Hersteller: Dialog Semiconductor
EEPROM Serial-I2C 128K-bit 256Pages x 64 1.8V/2.5V/3.3V 8-Pin SOIC N Tube
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Technische Details RM24C128DS-LSNI-B

Description: IC CBRAM 128KBIT I2C 1MHZ 8SOIC, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: 8-SOIC, Memory Format: CBRAM®, Clock Frequency: 1 MHz, Technology: CBRAM, Memory Interface: I²C, Write Cycle Time - Word, Page: 100µs, 5ms, Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Memory Type: Non-Volatile, Memory Size: 128Kb (64B Page Size), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tube.

Preis RM24C128DS-LSNI-B ab 0 EUR bis 0 EUR

RM24C128DS-LSNI-B
RM24C128DS-LSNI-B
Hersteller: Adesto Technologies
EEPROM 128K 1.65V-3.6V I2C 1MHz IND TEMP
RM24C128DS_115-1385766.pdf
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RM24C128DS-LSNI-B
RM24C128DS-LSNI-B
Hersteller: Adesto Technologies
Description: IC CBRAM 128KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Memory Format: CBRAM®
Clock Frequency: 1 MHz
Technology: CBRAM
Memory Interface: I²C
Write Cycle Time - Word, Page: 100µs, 5ms
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 128Kb (64B Page Size)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
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