RM24C128DS-LSNI-T
RM24C128DS-LSNI-T
Hersteller: Dialog SemiconductorEEPROM Serial-I2C 128K-bit 256Pages x 64 1.8V/2.5V/3.3V 8-Pin SOIC N T/R
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Technische Details RM24C128DS-LSNI-T
Description: IC CBRAM 128KBIT I2C 1MHZ 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Memory Interface: I²C, Write Cycle Time - Word, Page: 100µs, 5ms, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: 8-SOIC, Memory Format: CBRAM®, Clock Frequency: 1 MHz, Technology: CBRAM, Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Memory Type: Non-Volatile, Memory Size: 128Kb (64B Page Size), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width).
Preis RM24C128DS-LSNI-T ab 0 EUR bis 0 EUR
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RM24C128DS-LSNI-T Hersteller: Adesto Technologies EEPROM 128K 1.65V-3.6V I2C 1MHz IND TEMP
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.jpg "RM24C128DS-LSNI-T") Hersteller: Adesto Technologies Description: IC CBRAM 128KBIT I2C 1MHZ 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Memory Interface: I²C Write Cycle Time - Word, Page: 100µs, 5ms Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SOIC Memory Format: CBRAM® Clock Frequency: 1 MHz Technology: CBRAM Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 128Kb (64B Page Size) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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Hersteller: Adesto Technologies Description: IC CBRAM 128KBIT I2C 1MHZ 8SOIC Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SOIC Memory Format: CBRAM® Clock Frequency: 1 MHz Technology: CBRAM Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Memory Interface: I²C Write Cycle Time - Word, Page: 100µs, 5ms Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 128Kb (64B Page Size) |
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