RM25C256C-LSNI-T

RM25C256C-LSNI-T

Hersteller: Dialog Semiconductor
EEPROM Serial-SPI 256K-bit 512Pages x 64 1.8V/2.5V/3.3V 8-Pin SOIC N T/R
6302161555245084ds-rm25c256c-l-078.pdf
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Technische Details RM25C256C-LSNI-T

Description: IC CBRAM 256KBIT SPI 10MHZ 8SOIC, Write Cycle Time - Word, Page: 100µs, 5ms, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: 8-SOIC, Memory Format: CBRAM®, Clock Frequency: 10 MHz, Technology: CBRAM, Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Memory Type: Non-Volatile, Memory Size: 256kb (64B Page Size), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR), Memory Interface: SPI.

Preis RM25C256C-LSNI-T ab 0 EUR bis 0 EUR

RM25C256C-LSNI-T
RM25C256C-LSNI-T
Hersteller: Adesto Technologies
EEPROM 256K 1.65V EEPROM
DS-RM25C256C-L-078-1385787.pdf
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RM25C256C-LSNI-T
RM25C256C-LSNI-T
Hersteller: Adesto Technologies
Description: IC CBRAM 256KBIT SPI 10MHZ 8SOIC
Write Cycle Time - Word, Page: 100µs, 5ms
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Memory Format: CBRAM®
Clock Frequency: 10 MHz
Technology: CBRAM
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 256kb (64B Page Size)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Memory Interface: SPI
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RM25C256C-LSNI-T
RM25C256C-LSNI-T
Hersteller: Adesto Technologies
Description: IC CBRAM 256KBIT SPI 10MHZ 8SOIC
Write Cycle Time - Word, Page: 100µs, 5ms
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Memory Format: CBRAM®
Clock Frequency: 10 MHz
Technology: CBRAM
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 256kb (64B Page Size)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Memory Interface: SPI
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