RM25C512C-LSNI-B

RM25C512C-LSNI-B

RM25C512C-LSNI-B

Hersteller: Dialog Semiconductor
EEPROM Serial-SPI 512K-bit 512Pages x 128 1.8V/2.5V/3.3V 8-Pin SOIC N Tube
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Technische Details RM25C512C-LSNI-B

Description: IC CBRAM 512KBIT SPI 20MHZ 8SOIC, Manufacturer: Dialog Semiconductor GmbH, Packaging: Tube, Part Status: Obsolete, Memory Type: Non-Volatile, Memory Format: CBRAM®, Technology: CBRAM, Memory Size: 512kb (128B Page Size), Memory Interface: SPI, Clock Frequency: 20MHz, Write Cycle Time - Word, Page: 100µs, 5ms, Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Supplier Device Package: 8-SOIC.

Preis RM25C512C-LSNI-B ab 0 EUR bis 0 EUR

RM25C512C-LSNI-B
RM25C512C-LSNI-B
Hersteller: Adesto Technologies
EEPROM 512K 1.65V EEPROM
DS-RM25C512C_079-1385763.pdf
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RM25C512C-LSNI-B
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Hersteller: Adesto Technologies
Description: IC CBRAM 512KBIT SPI 20MHZ 8SOIC
Manufacturer: Dialog Semiconductor GmbH
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Memory Type: Non-Volatile
Memory Format: CBRAM®
Technology: CBRAM
Memory Size: 512kb (128B Page Size)
Memory Interface: SPI
Clock Frequency: 20MHz
Write Cycle Time - Word, Page: 100µs, 5ms
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package: 8-SOIC
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