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Technische Details SCH1402-TL-E onsemi
Description: ONSEMI - SCH1402-TL-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.063 ohm, SCH, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: SCH, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote SCH1402-TL-E
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| SCH1402-TL-E |
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| SCH1402-TL-E | Hersteller : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - SCH1402-TL-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.063 ohm, SCH, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: SCH Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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