Produkte > ONSEMI > SCH1402-TL-E
SCH1402-TL-E

SCH1402-TL-E onsemi

Hersteller: onsemi
Description: NCH 1.8V DRIVE SERIES
Packaging: Bulk
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3206+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3206
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SCH1402-TL-E onsemi

Description: ONSEMI - SCH1402-TL-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.063 ohm, SCH, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: SCH, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Weitere Produktangebote SCH1402-TL-E

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SCH1402-TL-E
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCH1402-TL-E Hersteller : ONSEMI sch1402.pdf Description: ONSEMI - SCH1402-TL-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.063 ohm, SCH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SCH
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH