SF18G

SF18G

Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Material: SF18G-YAN THT universal diodes
SF11G%20SERIES_H2104.pdf
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Technische Details SF18G

Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL, Reverse Recovery Time (trr): 35 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Diode Type: Standard, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial, Packaging: Tape & Reel (TR), Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41), Current - Average Rectified (Io): 1A, Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz.

Preis SF18G ab 0.031 EUR bis 0.072 EUR

SF18G
SF18G
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SF18G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 35 ns, 30 A
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassspannung Vf max.: 1.7
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrerholzeit Trr, max.: 35
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: SFx
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 30
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 600
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
2357950.pdf
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SF18G
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Material: SF18G-YAN THT universal diodes
SF11G%20SERIES_H2104.pdf
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SF18G
SF18G
Hersteller: Taiwan Semiconductor
Rectifiers 1.0 Amp 600V 35ns
SF11G_SERIES_H2104-2822121.pdf
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SF18G
SF18G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
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