SGH40N60UFTU
SGH40N60UFTU
Hersteller: onsemiDescription: IGBT 600V 40A TO3P
Switching Energy: 160µJ (on), 200µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/65ns
Supplier Device Package: TO-3P
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 160 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 97 nC
Test Condition: 300V, 20A, 10Ohm, 15V
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Technische Details SGH40N60UFTU
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Part Status: Active, Power - Max: 160 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Gate Charge: 97 nC, Test Condition: 300V, 20A, 10Ohm, 15V, Switching Energy: 160µJ (on), 200µJ (off), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-3P, Td (on/off) @ 25°C: 15ns/65ns, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Packaging: Bulk.
Preis SGH40N60UFTU ab 8.46 EUR bis 8.46 EUR
 Hersteller: Fairchild Semiconductor Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Part Status: Active Power - Max: 160 W Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Gate Charge: 97 nC Test Condition: 300V, 20A, 10Ohm, 15V Switching Energy: 160µJ (on), 200µJ (off) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-3P Td (on/off) @ 25°C: 15ns/65ns Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Packaging: Bulk
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 Hersteller: ON Semiconductor Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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 Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild IGBT Transistors Dis High Perf IGBT
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SGH40N60UFTU Hersteller: ON Semiconductor Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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Hersteller: onsemi / Fairchild IGBT Transistors Dis High Perf IGBT
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Hersteller: onsemi Description: IGBT 600V 40A TO3P Supplier Device Package: TO-3P Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 20A Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Packaging: Tube Td (on/off) @ 25°C: 15ns/65ns Switching Energy: 160µJ (on), 200µJ (off) Test Condition: 300V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 97 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 160 W
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