SI1012CR-T1-GE3

SI1012CR-T1-GE3

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SC-75A T/R
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Technische Details SI1012CR-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 0.63A SC-75A, Base Part Number: SI1012, Package / Case: SC-75, SOT-416, Supplier Device Package: SC-75A, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 240mW (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V, Vgs (Max): ±8V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 8V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 600mA, 4.5V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $).

Preis SI1012CR-T1-GE3 ab 0.15 EUR bis 0.73 EUR

SI1012CR-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Material: SI1012CR-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI1012CR-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.33 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 630
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
Verlustleistung Pd: 240
Bauform - Transistor: SC-75A
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.33
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 400
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI1012CR-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.33 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 630
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: -
Verlustleistung Pd: 240
Bauform - Transistor: SC-75A
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.33
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 400
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SC-75A T/R
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Hersteller: VISHAY
Material: SI1012CR-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: Vishay
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 20V Vds 8V Vgs SC75A
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V SC75A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Power Dissipation (Max): 240mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 600mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
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SI1012CR-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 0.63A SC-75A
Base Part Number: SI1012
Package / Case: SC-75, SOT-416
Supplier Device Package: SC-75A
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 240mW (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V
Vgs (Max): ±8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 600mA, 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
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SI1012CR-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V SC75A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-75A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 240mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 600mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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