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SI1012CR-T1-GE3

SI1012CR-T1-GE3 Vishay

si1012cr.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SC-75A T/R
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Technische Details SI1012CR-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI1012CR-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.33 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 630mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 240mW, Bauform - Transistor: SC-75A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SI1012CR-T1-GE3 SI1012CR-T1-GE3 Hersteller : Vishay si1012cr.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SC-75A T/R
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SI1012CR-T1-GE3 SI1012CR-T1-GE3 Hersteller : Vishay si1012cr.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SC-75A T/R
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SI1012CR-T1-GE3 SI1012CR-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si1012cr.pdf Description: MOSFET N-CH 20V SC75A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 240mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
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SI1012CR-T1-GE3 SI1012CR-T1-GE3 Hersteller : Vishay si1012cr.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SC-75A T/R
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SI1012CR-T1-GE3 SI1012CR-T1-GE3 Hersteller : Vishay si1012cr.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SC-75A T/R
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SI1012CR-T1-GE3 SI1012CR-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si1012cr.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.63A; Idm: 2A; 0.15W; SC75A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.63A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC75A
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 396mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
209+0.34 EUR
272+0.26 EUR
341+0.21 EUR
376+0.19 EUR
532+0.13 EUR
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SI1012CR-T1-GE3 SI1012CR-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si1012cr.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.63A; Idm: 2A; 0.15W; SC75A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.63A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC75A
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 396mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 2A
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SI1012CR-T1-GE3 SI1012CR-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si1012cr.pdf MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SC75A
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SI1012CR-T1-GE3 SI1012CR-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si1012cr.pdf Description: MOSFET N-CH 20V SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 240mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
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SI1012CR-T1-GE3 SI1012CR-T1-GE3 Hersteller : Vishay si1012cr.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SC-75A T/R
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SI1012CR-T1-GE3 SI1012CR-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0001142062-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI1012CR-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.33 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240mW
Bauform - Transistor: SC-75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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SI1012CR-T1-GE3 SI1012CR-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0001142062-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI1012CR-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.33 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240mW
Bauform - Transistor: SC-75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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SI1012CR-T1-GE3 SI1012CR-T1-GE3 Hersteller : Vishay si1012cr.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SC-75A T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
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SI1012CR-T1-GE3 SI1012CR-T1-GE3 Hersteller : VISHAY 2046980.pdf Description: VISHAY - SI1012CR-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.33 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240mW
Bauform - Transistor: SC-75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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