SI1012CR-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V SC75A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 240mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.19 EUR |
| 6000+ | 0.18 EUR |
| 9000+ | 0.17 EUR |
| 15000+ | 0.15 EUR |
| 30000+ | 0.14 EUR |
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Technische Details SI1012CR-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI1012CR-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.396 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 630mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, Verlustleistung: 240mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SC-75A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.396ohm.
Weitere Produktangebote SI1012CR-T1-GE3 nach Preis ab 0.15 EUR bis 0.88 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SI1012CR-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SC75A |
auf Bestellung 137642 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI1012CR-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.63A; Idm: 2A; 0.15W; SC75A Version: ESD Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Case: SC75A Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 2nC Power dissipation: 0.15W On-state resistance: 396mΩ Drain current: 0.63A Pulsed drain current: 2A Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 20V |
auf Bestellung 109 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1012CR-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V SC75A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 240mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-75A Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V |
auf Bestellung 60053 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI1012CR-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI1012CR-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.396 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV Verlustleistung: 240mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SC-75A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.396ohm |
auf Bestellung 58647 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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SI1012CR-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI1012CR-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.396 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 240mW Bauform - Transistor: SC-75A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.396ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 60278 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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SI1012CR-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI1012CR-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.396 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV Verlustleistung: 240mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SC-75A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.396ohm |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| SI1012CR-T1-GE3 | Vishay BC Components |
N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 630 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 43 @ 10, Qg, нКл = 2, Rds = 396 мОм, Ugs(th) = 1 В, Р, Вт = 0,24, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-416 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
verfügbar 10 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SI1012CR-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SC75A
MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SC75A
auf Bestellung 137642 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 0.45 EUR |
| 12+ | 0.3 EUR |
| 100+ | 0.24 EUR |
| 500+ | 0.21 EUR |
| 3000+ | 0.15 EUR |
| SI1012CR-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.63A; Idm: 2A; 0.15W; SC75A
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SC75A
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2nC
Power dissipation: 0.15W
On-state resistance: 396mΩ
Drain current: 0.63A
Pulsed drain current: 2A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.63A; Idm: 2A; 0.15W; SC75A
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SC75A
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2nC
Power dissipation: 0.15W
On-state resistance: 396mΩ
Drain current: 0.63A
Pulsed drain current: 2A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 109+ | 0.79 EUR |
| SI1012CR-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 240mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 20V SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 240mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
auf Bestellung 60053 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 24+ | 0.88 EUR |
| 39+ | 0.55 EUR |
| 100+ | 0.35 EUR |
| 500+ | 0.26 EUR |
| 1000+ | 0.23 EUR |
| SI1012CR-T1-GE3 |
|
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI1012CR-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.396 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 240mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.396ohm
Description: VISHAY - SI1012CR-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.396 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 240mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.396ohm
auf Bestellung 58647 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SI1012CR-T1-GE3 |
|
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI1012CR-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.396 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240mW
Bauform - Transistor: SC-75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.396ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: VISHAY - SI1012CR-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.396 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
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Verlustleistung: 240mW
Bauform - Transistor: SC-75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.396ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 60278 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SI1012CR-T1-GE3 |
|
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI1012CR-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.396 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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Dauer-Drainstrom Id: 630mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 240mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.396ohm
Description: VISHAY - SI1012CR-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.396 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.396ohm
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SI1012CR-T1-GE3 |
|
Hersteller: Vishay BC Components
N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 630 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 43 @ 10, Qg, нКл = 2, Rds = 396 мОм, Ugs(th) = 1 В, Р, Вт = 0,24, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-416 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 630 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 43 @ 10, Qg, нКл = 2, Rds = 396 мОм, Ugs(th) = 1 В, Р, Вт = 0,24, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-416 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 10 Stücke: