SI1023CX-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 220mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 756mOhm @ 350mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Active
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Technische Details SI1023CX-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI1023CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 450 mA, 450 mA, 0.63 ohm, tariffCode: 85412900, Wandlerpolarität: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.63ohm, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 450mA, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 450mA, hazardous: false, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Produktpalette: TrenchFET Series, Bauform - Transistor: SC-89, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Verlustleistung, n-Kanal: 220mW, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, Verlustleistung, p-Kanal: 220mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.63ohm, Dauer-Drainstrom Id: 450mA, rohsPhthalatesCompliant: YES, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.63ohm, usEccn: EAR99, Transistormontage: Oberflächenmontage, Verlustleistung Pd: 220mW, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote SI1023CX-T1-GE3 nach Preis ab 0.26 EUR bis 1.09 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SI1023CX-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET -20V Vds 8V Vgs SC89-6 |
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SI1023CX-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 20V SC89-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 220mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 756mOhm @ 350mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Part Status: Active |
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SI1023CX-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1023CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 450 mA, 450 mA, 0.63 ohm tariffCode: 85412900 Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.63ohm Anzahl der Pins: 6Pin(s) Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 450mA Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 450mA hazardous: false Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Produktpalette: TrenchFET Series Bauform - Transistor: SC-89 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR rohsCompliant: YES Verlustleistung, n-Kanal: 220mW Drain-Source-Spannung Vds: 20V Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V Verlustleistung, p-Kanal: 220mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.63ohm Dauer-Drainstrom Id: 450mA rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebswiderstand, Rds(on): 0.63ohm usEccn: EAR99 Transistormontage: Oberflächenmontage Verlustleistung Pd: 220mW SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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SI1023CX-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1023CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 450 mA, 450 mA, 0.63 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 450mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 450mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.63ohm Verlustleistung, p-Kanal: 220mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.63ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 220mW SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 18620 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1023CX-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -450mA; 220mW Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.45A Pulsed drain current: -1.5A Power dissipation: 0.22W Case: SC89 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 2.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI1023CX-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.45A 6-Pin SC-89 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI1023CX-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -450mA; 220mW Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.45A Pulsed drain current: -1.5A Power dissipation: 0.22W Case: SC89 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 2.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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