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SI1023CX-T1-GE3

SI1023CX-T1-GE3 Vishay Siliconix

si1023cx.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V SC89-6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 756mOhm @ 350mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 220mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Technische Details SI1023CX-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI1023CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 450 mA, 450 mA, 0.63 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 450mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 450mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.63ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 220mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-89, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.63ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 220mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote SI1023CX-T1-GE3 nach Preis ab 0.13 EUR bis 1.05 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI1023CX-T1-GE3 SI1023CX-T1-GE3 VISHAY si1023cx.pdf Description: VISHAY - SI1023CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 450 mA, 450 mA, 0.63 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 450mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 450mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.63ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 220mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.63ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 220mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 13304 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
349+0.71 EUR
435+0.54 EUR
589+0.37 EUR
730+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
5000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 349 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1023CX-T1-GE3 SI1023CX-T1-GE3 VISHAY si1023cx.pdf Description: VISHAY - SI1023CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 450 mA, 450 mA, 0.63 ohm
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rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 450mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 450mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.63ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 220mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.63ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 220mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 13304 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
349+0.71 EUR
435+0.54 EUR
589+0.37 EUR
730+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
5000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 349 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1023CX-T1-GE3 SI1023CX-T1-GE3 Vishay Siliconix si1023cx.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V SC89-6
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 756mOhm @ 350mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 220mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 59655 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.88 EUR
30+0.71 EUR
100+0.49 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1023CX-T1-GE3 SI1023CX-T1-GE3 Vishay Semiconductors si1023cx.pdf MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SC89-6
auf Bestellung 94053 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.05 EUR
10+0.64 EUR
100+0.4 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
3000+0.24 EUR
6000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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SI1023CX-T1-GE3 Vishay si1023cx.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.45A 6-Pin SC-89 T/R
auf Bestellung 3328 Stücke:
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492+0.36 EUR
654+0.26 EUR
661+0.25 EUR
714+0.23 EUR
777+0.19 EUR
851+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.13 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1023CX-T1-GE3 si1023cx.pdf
SI1023CX-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI1023CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 450 mA, 450 mA, 0.63 ohm
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rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 450mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 450mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.63ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 220mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.63ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 220mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 13304 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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SI1023CX-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI1023CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 450 mA, 450 mA, 0.63 ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 450mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.63ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 220mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.63ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 220mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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5000+0.19 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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SI1023CX-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V SC89-6
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 756mOhm @ 350mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 220mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 59655 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
24+0.88 EUR
30+0.71 EUR
100+0.49 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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SI1023CX-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SC89-6
auf Bestellung 94053 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
4+1.05 EUR
10+0.64 EUR
100+0.4 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
3000+0.24 EUR
6000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1023CX-T1-GE3 si1023cx.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 0.45A 6-Pin SC-89 T/R
auf Bestellung 3328 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
492+0.36 EUR
654+0.26 EUR
661+0.25 EUR
714+0.23 EUR
777+0.19 EUR
851+0.17 EUR
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Mindestbestellmenge: 492 Stücke
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