SI1026X-T1-GE3
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Technische Details SI1026X-T1-GE3
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89-6, FET Feature: Logic Level Gate, FET Type: 2 N-Channel (Dual), Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Base Part Number: SI1026, Supplier Device Package: SC-89-6, Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 250mW, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V.
Preis SI1026X-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR
 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SC-89 T/R 
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 Hersteller: VISHAY Description: VISHAY - SI1026X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 305 mA, 1.4 ohm, SC-89, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 305 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 250 Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 2 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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Hersteller: VISHAY Description: VISHAY - SI1026X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 305 mA, 1.4 ohm, SC-89, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 305 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 250 Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 2 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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Hersteller: VISHAY Description: VISHAY - SI1026X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 305 mA, 1.4 ohm, SC-89, Oberflächenmontage SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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SI1026X-T1-GE3 Hersteller: VISHAY Material: SI1026X-T1-GE3 Multi channel transistors
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 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET 60V Vds 20V Vgs SC89-6
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auf Bestellung 140700 Stücke  Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SI1026X-T1-GE3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SC-89 T/R
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SI1026X-T1-GE3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SC-89 T/R
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 Hersteller: Vishay / Siliconix MOSFET 60V Vds 20V Vgs SC89-6
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auf Bestellung 45415 Stücke Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89-6 Part Status: Active Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA Drain to Source Voltage (Vdss): 60V FET Type: 2 N-Channel (Dual) Power - Max: 250mW Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR)
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89-6 FET Feature: Logic Level Gate FET Type: 2 N-Channel (Dual) Part Status: Active Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $) Base Part Number: SI1026 Supplier Device Package: SC-89-6 Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 250mW Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
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auf Bestellung 141236 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89-6 Part Status: Active Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA Drain to Source Voltage (Vdss): 60V FET Type: 2 N-Channel (Dual) Power - Max: 250mW Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Cut Tape (CT)
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