SI1026X-T1-GE3

SI1026X-T1-GE3

Hersteller: VISHAY
Material: SI1026X-T1-GE3 Multi channel transistors
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Technische Details SI1026X-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89-6, FET Feature: Logic Level Gate, FET Type: 2 N-Channel (Dual), Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Base Part Number: SI1026, Supplier Device Package: SC-89-6, Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 250mW, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V.

Preis SI1026X-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR

SI1026X-T1-GE3
SI1026X-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SC-89 T/R
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI1026X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 305 mA, 1.4 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 305
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 250
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI1026X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 305 mA, 1.4 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 305
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 250
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI1026X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 305 mA, 1.4 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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Hersteller: VISHAY
Material: SI1026X-T1-GE3 Multi channel transistors
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 60V Vds 20V Vgs SC89-6
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SC-89 T/R
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SC-89 T/R
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 60V Vds 20V Vgs SC89-6
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SI1026X-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89-6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Power - Max: 250mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
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SI1026X-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89-6
FET Feature: Logic Level Gate
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Base Part Number: SI1026
Supplier Device Package: SC-89-6
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 250mW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
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auf Bestellung 141236 Stücke
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SI1026X-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89-6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Power - Max: 250mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
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