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Technische Details SI1029X-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI1029X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 305 mA, 305 mA, 1.4 ohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 305, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 305, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 305, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.4, Verlustleistung Pd: 250, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5, Verlustleistung, p-Kanal: 250, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-89, Anzahl der Pins: 6, Produktpalette: PW Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.4, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 250, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote SI1029X-T1-GE3 nach Preis ab 0.25 EUR bis 1.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SI1029X-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N/P-CH 60V 0.305A SC89Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA, 190mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 23pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 750nC @ 4.5V, 1700nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI1029X-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.305A/0.19A 6-Pin SC-89 T/R |
auf Bestellung 51000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1029X-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 60V Vds 20V Vgs SC89-6 N&P PAIR |
auf Bestellung 72454 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SI1029X-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 60V 0.305A SC89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA, 190mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 23pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 750nC @ 4.5V, 1700nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) |
auf Bestellung 13755 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI1029X-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1029X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 305 mA, 305 mA, 1.4 ohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 305 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 305 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 305 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.4 Verlustleistung Pd: 250 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 Verlustleistung, p-Kanal: 250 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.4 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 250 Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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SI1029X-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.305A/0.19A 6-Pin SC-89 T/R |
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SI1029X-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1029X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 305 mA, 305 mA, 1.4 ohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 305 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 305 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 305 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.4 Verlustleistung Pd: 250 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 Verlustleistung, p-Kanal: 250 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: PW Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.4 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 250 Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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| SI1029X-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 0.22/-0.135A Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.22/-0.135A Pulsed drain current: 0.65A Power dissipation: 0.13W Case: SC89 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3/8Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.75/1.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI1029X-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.305A/0.19A 6-Pin SC-89 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI1029X-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.305A/0.19A 6-Pin SC-89 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI1029X-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 0.22/-0.135A Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.22/-0.135A Pulsed drain current: 0.65A Power dissipation: 0.13W Case: SC89 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3/8Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.75/1.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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