SI1029X-T1-GE3

SI1029X-T1-GE3

Hersteller: VISHAY
Material: SI1029X-T1-GE3 Multi channel transistors
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Technische Details SI1029X-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 60V SC89-6, Base Part Number: SI1029, Supplier Device Package: SC-89-6, Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 250mW, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA, 190mA, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, FET Feature: Logic Level Gate, FET Type: N and P-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $).

Preis SI1029X-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR

SI1029X-T1-GE3
SI1029X-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.305A/0.19A 6-Pin SC-89 T/R
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Hersteller: VISHAY
Material: SI1029X-T1-GE3 Multi channel transistors
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 60V Vds 20V Vgs SC89-6 N&P PAIR
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 60V Vds 20V Vgs SC89-6 N&P PAIR
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 60V SC89-6
Base Part Number: SI1029
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 250mW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA, 190mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
FET Feature: Logic Level Gate
FET Type: N and P-Channel
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Manufacturer: Vishay Siliconix
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SI1029X-T1-GE3
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 60V SC89-6
Base Part Number: SI1029
Supplier Device Package: SC-89-6
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 250mW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA, 190mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
FET Feature: Logic Level Gate
FET Type: N and P-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
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SI1029X-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 60V SC89-6
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 250mW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA, 190mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
FET Feature: Logic Level Gate
FET Type: N and P-Channel
Part Status: Active
Packaging: Cut Tape (CT)
Base Part Number: SI1029
Supplier Device Package: SC-89-6
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