SI1029X-T1-GE3
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Technische Details SI1029X-T1-GE3
Description: MOSFET N/P-CH 60V SC89-6, Base Part Number: SI1029, Supplier Device Package: SC-89-6, Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 250mW, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA, 190mA, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, FET Feature: Logic Level Gate, FET Type: N and P-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $).
Preis SI1029X-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR
 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.305A/0.19A 6-Pin SC-89 T/R 
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SI1029X-T1-GE3 Hersteller: VISHAY Material: SI1029X-T1-GE3 Multi channel transistors
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 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET 60V Vds 20V Vgs SC89-6 N&P PAIR
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auf Bestellung 81123 Stücke  Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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Hersteller: Vishay / Siliconix MOSFET 60V Vds 20V Vgs SC89-6 N&P PAIR
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auf Bestellung 15584 Stücke Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N/P-CH 60V SC89-6 Base Part Number: SI1029 Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 250mW Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA, 190mA Drain to Source Voltage (Vdss): 60V FET Feature: Logic Level Gate FET Type: N and P-Channel Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) Manufacturer: Vishay Siliconix
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N/P-CH 60V SC89-6 Base Part Number: SI1029 Supplier Device Package: SC-89-6 Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 250mW Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA, 190mA Drain to Source Voltage (Vdss): 60V FET Feature: Logic Level Gate FET Type: N and P-Channel Part Status: Active Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
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auf Bestellung 73537 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N/P-CH 60V SC89-6 Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 250mW Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA, 190mA Drain to Source Voltage (Vdss): 60V FET Feature: Logic Level Gate FET Type: N and P-Channel Part Status: Active Packaging: Cut Tape (CT) Base Part Number: SI1029 Supplier Device Package: SC-89-6
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auf Bestellung 99896 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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