SI1302DL-T1-GE3
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Technische Details SI1302DL-T1-GE3
Description: MOSFET N-CH 30V 600MA SC-70-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Package / Case: SC-70, SOT-323, Supplier Device Package: SC-70-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 280mW (Ta), Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 600mA, 10V.
Preis SI1302DL-T1-GE3 ab 0.18 EUR bis 0.58 EUR
 Hersteller: VISHAY Description: VISHAY - SI1302DL-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.41 ohm, SC-70, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 600 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 280 Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: TrenchFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.41 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 3 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) 
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SI1302DL-T1-GE3 Hersteller: VISHAY Material: SI1302DL-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI1302DL-T1-GE3 Hersteller: VISHAY Material: SI1302DL-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI1302DL-T1-GE3 Hersteller: SI1302DL-T1-GE3 Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.6A 3-Pin SC-70 T/R
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SI1302DL-T1-GE3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 30V 0.6A 3-Pin SC-70 T/R
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 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET 30V Vds 20V Vgs SC70-3
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 600mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Power Dissipation (Max): 280mW (Ta) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: SC-70-3 Package / Case: SC-70, SOT-323
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 30V 600MA SC-70-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Active Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $) Package / Case: SC-70, SOT-323 Supplier Device Package: SC-70-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 280mW (Ta) Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 600mA, 10V
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auf Bestellung 10092 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 600mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Power Dissipation (Max): 280mW (Ta) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: SC-70-3 Package / Case: SC-70, SOT-323
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