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SI1302DL-T1-GE3

SI1302DL-T1-GE3 Vishay


si1302dl.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 0.6A 3-Pin SC-70 T/R
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Technische Details SI1302DL-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI1302DL-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.41 ohm, SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 600mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 280mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 280mW, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.41ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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SI1302DL-T1-GE3 SI1302DL-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix 71249.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
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SI1302DL-T1-GE3 SI1302DL-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix 71249.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
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Mindestbestellmenge: 26
SI1302DL-T1-GE3 SI1302DL-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors 71249.pdf MOSFET 30V Vds 20V Vgs SC70-3
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Anzahl Preis ohne MwSt
52+1.02 EUR
60+ 0.87 EUR
100+ 0.61 EUR
500+ 0.47 EUR
1000+ 0.38 EUR
3000+ 0.32 EUR
9000+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 52
SI1302DL-T1-GE3 SI1302DL-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0012012407-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI1302DL-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.41 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 280mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.41ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 766 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI1302DL-T1-GE3 SI1302DL-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0012012407-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI1302DL-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.41 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 280mW
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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SI1302DL-T1-GE3 SI1302DL-T1-GE3 Hersteller : Vishay si1302dl.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.6A 3-Pin SC-70 T/R
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SI1302DL-T1-GE3 SI1302DL-T1-GE3 Hersteller : Vishay si1302dl.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.6A 3-Pin SC-70 T/R
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SI1302DL-T1-GE3 SI1302DL-T1-GE3 Hersteller : Vishay 71249.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.6A 3-Pin SC-70 T/R
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SI1302DL-T1-GE3 Hersteller : VISHAY SI1302DL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.48A; 0.18W; SC70
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.48A
Power dissipation: 0.18W
Case: SC70
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 480mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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SI1302DL-T1-GE3 Hersteller : VISHAY SI1302DL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.48A; 0.18W; SC70
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.48A
Power dissipation: 0.18W
Case: SC70
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 480mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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