SI1302DL-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.24 EUR |
| 6000+ | 0.23 EUR |
| 15000+ | 0.21 EUR |
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Technische Details SI1302DL-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI1302DL-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.41 ohm, SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 600mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 280mW, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SI1302DL-T1-GE3 nach Preis ab 0.19 EUR bis 0.81 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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SI1302DL-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.6A 3-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 2245 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1302DL-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.48A; Idm: 1.5A; 0.18W Case: SC70; SOT323 Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.48A On-state resistance: 0.48Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.18W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 1.4nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1.5A Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SI1302DL-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.48A; Idm: 1.5A; 0.18W Case: SC70; SOT323 Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.48A On-state resistance: 0.48Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.18W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 1.4nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1.5A Mounting: SMD |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1302DL-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 600mA, 10V Power Dissipation (Max): 280mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V |
auf Bestellung 29771 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI1302DL-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SC70-3 |
auf Bestellung 15582 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI1302DL-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1302DL-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.41 ohm, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 280mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 280 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1302DL-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.6A 3-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1302DL-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.6A 3-Pin SC-70 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI1302DL-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.6A 3-Pin SC-70 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |