SI1302DL-T1-GE3

SI1302DL-T1-GE3

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 0.6A 3-Pin SC-70 T/R
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Technische Details SI1302DL-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 600MA SC-70-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Package / Case: SC-70, SOT-323, Supplier Device Package: SC-70-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 280mW (Ta), Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 600mA, 10V.

Preis SI1302DL-T1-GE3 ab 0.18 EUR bis 0.58 EUR

SI1302DL-T1-GE3
SI1302DL-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI1302DL-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.41 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 600
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 280
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.41
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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SI1302DL-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Material: SI1302DL-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI1302DL-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Material: SI1302DL-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller:
SI1302DL-T1-GE3 Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.6A 3-Pin SC-70 T/R
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 0.6A 3-Pin SC-70 T/R
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 30V Vds 20V Vgs SC70-3
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SI1302DL-T1-GE3
SI1302DL-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 600mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
Vgs (Max): ±20V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SC-70-3
Package / Case: SC-70, SOT-323
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SI1302DL-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 600MA SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Supplier Device Package: SC-70-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 600mA, 10V
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SI1302DL-T1-GE3
SI1302DL-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 600mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
Vgs (Max): ±20V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SC-70-3
Package / Case: SC-70, SOT-323
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