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SI1302DL-T1-GE3

SI1302DL-T1-GE3 Vishay Siliconix


71249.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
auf Bestellung 27000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.24 EUR
6000+0.23 EUR
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Technische Details SI1302DL-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI1302DL-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.41 ohm, SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 600mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 280mW, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SI1302DL-T1-GE3 SI1302DL-T1-GE3 Hersteller : Vishay si1302dl.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.6A 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 2245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
432+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 432
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SI1302DL-T1-GE3 SI1302DL-T1-GE3 Hersteller : VISHAY SI1302DL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.48A; 0.18W; SC70
Case: SC70
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.48A
On-state resistance: 0.48Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.18W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.86nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
116+0.62 EUR
168+0.43 EUR
353+0.20 EUR
374+0.19 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 116
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SI1302DL-T1-GE3 SI1302DL-T1-GE3 Hersteller : VISHAY SI1302DL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.48A; 0.18W; SC70
Case: SC70
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.48A
On-state resistance: 0.48Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.18W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.86nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
auf Bestellung 3000 Stücke:
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SI1302DL-T1-GE3 SI1302DL-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix 71249.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
auf Bestellung 29771 Stücke:
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Anzahl Preis
26+0.69 EUR
31+0.58 EUR
100+0.44 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 26
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SI1302DL-T1-GE3 SI1302DL-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors 71249.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SC70-3
auf Bestellung 21271 Stücke:
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3+0.95 EUR
10+0.68 EUR
100+0.44 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.30 EUR
3000+0.23 EUR
9000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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SI1302DL-T1-GE3 SI1302DL-T1-GE3 Hersteller : VISHAY 71249.pdf Description: VISHAY - SI1302DL-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.41 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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