SI1330EDL-T1-GE3

SI1330EDL-T1-GE3

SI1330EDL-T1-GE3

Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 60V Vds 20V Vgs SC70-3
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Technische Details SI1330EDL-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 240MA SC-70-3, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Part Status: Discontinued at Digi-Key, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 250mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, Vgs (Max): ±20V, Power Dissipation (Max): 280mW (Ta), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: SC-70-3, Package / Case: SC-70, SOT-323.

Preis SI1330EDL-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR

SI1330EDL-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SC-70 T/R
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SI1330EDL-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SC-70 T/R
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SI1330EDL-T1-GE3
SI1330EDL-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 240MA SC-70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SC-70-3
Package / Case: SC-70, SOT-323
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SI1330EDL-T1-GE3
SI1330EDL-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 240MA SC-70-3
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SC-70-3
Package / Case: SC-70, SOT-323
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SI1330EDL-T1-GE3
SI1330EDL-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 240MA SC-70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SC-70-3
Package / Case: SC-70, SOT-323
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