SI1442DH-T1-GE3

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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 12V Vds 8V Vgs SC70-6
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Technische Details SI1442DH-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 12V 4A SOT-363, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010pF @ 6V, Vgs (Max): ±8V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 8V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 4.5V, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Supplier Device Package: SC-70-6 (SOT-363), Mounting Type: Surface Mount, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc).

Preis SI1442DH-T1-GE3 ab 0.37 EUR bis 1.17 EUR

SI1442DH-T1-GE3
SI1442DH-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 12V 4A 6-Pin SC-70 T/R
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Trans MOSFET N-CH 12V 4A 6-Pin SC-70 T/R
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Trans MOSFET N-CH 12V 4A 6-Pin SC-70 T/R
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Hersteller: Vishay / Siliconix
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 4A SOT-363
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010pF @ 6V
Vgs (Max): ±8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 4.5V
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package: SC-70-6 (SOT-363)
Mounting Type: Surface Mount
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 8 V
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