SI1442DH-T1-GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12V; 4A; Idm: 20A; 2.8W
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 33nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 2.8W
Drain current: 4A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 12V
Pulsed drain current: 20A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Case: SC70-6; SOT363
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2720 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 193+ | 0.37 EUR |
| 272+ | 0.26 EUR |
| 307+ | 0.23 EUR |
| 439+ | 0.16 EUR |
| 538+ | 0.13 EUR |
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Technische Details SI1442DH-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SI1442DH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 4 A, 0.02 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.8W, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SI1442DH-T1-GE3 nach Preis ab 0.13 EUR bis 0.68 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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SI1442DH-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12V; 4A; Idm: 20A; 2.8W Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 33nC On-state resistance: 30mΩ Power dissipation: 2.8W Drain current: 4A Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 12V Pulsed drain current: 20A Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Case: SC70-6; SOT363 |
auf Bestellung 2720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1442DH-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 6 V |
auf Bestellung 1359 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI1442DH-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 12V Vds 8V Vgs SC70-6 |
auf Bestellung 147546 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI1442DH-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1442DH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 4 A, 0.02 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1870 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1442DH-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1442DH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 4 A, 0.02 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1870 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1442DH-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 12V 4A 6-Pin SC-70 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI1442DH-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 12V 4A 6-Pin SC-70 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI1442DH-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 12V 4A 6-Pin SC-70 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI1442DH-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 6 V |
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