SI1902DL-T1-GE3

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Technische Details SI1902DL-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC-70-6, Supplier Device Package: SC-70-6, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 270mW, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 660mA, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, FET Feature: Logic Level Gate, FET Type: 2 N-Channel (Dual), Part Status: Active, Packaging: Tape & Reel (TR).

Preis SI1902DL-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR

SI1902DL-T1-GE3
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.66A 6-Pin SC-70 T/R
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.66A 6-Pin SC-70 T/R
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 20V .66A .27W
VISHS84954_1-2566312.pdf
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.66A 6-Pin SC-70 T/R
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC-70-6
Supplier Device Package: SC-70-6
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 270mW
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 660mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
FET Feature: Logic Level Gate
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
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SI1902DL-T1-GE3
SI1902DL-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC-70-6
Supplier Device Package: SC-70-6
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 270mW
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 660mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
FET Feature: Logic Level Gate
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Part Status: Active
Packaging: Cut Tape (CT)
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