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SI1922EDH-T1-GE3

SI1922EDH-T1-GE3 Vishay Semiconductors


si1922ed.pdf Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 20V Vds 8V Vgs SC70-6
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Technische Details SI1922EDH-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.3A; Idm: 4A; 0.8W; SC70, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 1.3A, Pulsed drain current: 4A, Power dissipation: 0.8W, Case: SC70, Gate-source voltage: ±8V, On-state resistance: 198mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 2.5nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Features of semiconductor devices: ESD protected gate, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SI1922EDH-T1-GE3 SI1922EDH-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si1922ed.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363
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SI1922EDH-T1-GE3 SI1922EDH-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si1922ed.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363
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SI1922EDH-T1-GE3 SI1922EDH-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si1922ed.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.3A; Idm: 4A; 0.8W; SC70
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 0.8W
Case: SC70
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 198mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI1922EDH-T1-GE3 SI1922EDH-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si1922ed.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.3A; Idm: 4A; 0.8W; SC70
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 0.8W
Case: SC70
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 198mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
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