SI1922EDH-T1-GE3

SI1922EDH-T1-GE3

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 6-Pin SC-70 T/R
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Technische Details SI1922EDH-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363, FET Type: 2 N-Channel (Dual), Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Base Part Number: SI1922, Supplier Device Package: SC-70-6 (SOT-363), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 1.25W, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 8V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 1A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, FET Feature: Logic Level Gate, Part Status: Active.

Preis SI1922EDH-T1-GE3 ab 0.14 EUR bis 0.14 EUR

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Hersteller: VISHAY
Material: SI1922EDH-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Material: SI1922EDH-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 6-Pin SC-70 T/R
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 20V Vds 8V Vgs SC70-6
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.25W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
FET Feature: Logic Level Gate
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Manufacturer: Vishay Siliconix
Base Part Number: SI1922
Supplier Device Package: SC-70-6
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Base Part Number: SI1922
Supplier Device Package: SC-70-6 (SOT-363)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.25W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
FET Feature: Logic Level Gate
Part Status: Active
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363
Base Part Number: SI1922
Supplier Device Package: SC-70-6
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.25W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
FET Feature: Logic Level Gate
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Part Status: Active
Packaging: Cut Tape (CT)
Manufacturer: Vishay Siliconix
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