SI1922EDH-T1-GE3
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Technische Details SI1922EDH-T1-GE3
Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363, FET Type: 2 N-Channel (Dual), Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Base Part Number: SI1922, Supplier Device Package: SC-70-6 (SOT-363), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 1.25W, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 8V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 1A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, FET Feature: Logic Level Gate, Part Status: Active.
Preis SI1922EDH-T1-GE3 ab 0.14 EUR bis 0.14 EUR
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SI1922EDH-T1-GE3 Hersteller: VISHAY Material: SI1922EDH-T1-GE3 SMD N channel transistors 
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SI1922EDH-T1-GE3 Hersteller: VISHAY Material: SI1922EDH-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI1922EDH-T1-GE3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 6-Pin SC-70 T/R
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auf Bestellung 16 Stücke Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET 20V Vds 8V Vgs SC70-6
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auf Bestellung 15036 Stücke Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SI1922EDH-T1-GE3 Hersteller:
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SI1922EDH-T1-GE3 Hersteller:
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363 Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.25W Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 1A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V FET Feature: Logic Level Gate FET Type: 2 N-Channel (Dual) Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) Manufacturer: Vishay Siliconix Base Part Number: SI1922 Supplier Device Package: SC-70-6
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auf Bestellung 51000 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363 FET Type: 2 N-Channel (Dual) Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $) Base Part Number: SI1922 Supplier Device Package: SC-70-6 (SOT-363) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.25W Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 1A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V FET Feature: Logic Level Gate Part Status: Active
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auf Bestellung 64022 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363 Base Part Number: SI1922 Supplier Device Package: SC-70-6 Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.25W Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 1A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V FET Feature: Logic Level Gate FET Type: 2 N-Channel (Dual) Part Status: Active Packaging: Cut Tape (CT) Manufacturer: Vishay Siliconix
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auf Bestellung 52974 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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