Produkte > VISHAY SILICONIX > SI1922EDH-T1-GE3
SI1922EDH-T1-GE3

SI1922EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix

si1922edh.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.31 EUR
6000+0.27 EUR
9000+0.26 EUR
15000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SI1922EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI1922EDH-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 1.3 A, 1.3 A, 0.165 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.165ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Weitere Produktangebote SI1922EDH-T1-GE3 nach Preis ab 0.15 EUR bis 1.32 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI1922EDH-T1-GE3 SI1922EDH-T1-GE3 Vishay Semiconductors si1922edh.pdf MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SC70-6
auf Bestellung 19971 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.12 EUR
10+0.71 EUR
100+0.46 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.32 EUR
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1922EDH-T1-GE3 SI1922EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix si1922edh.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
auf Bestellung 15191 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.32 EUR
26+0.81 EUR
100+0.52 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1922EDH-T1-GE3 Vishay si1922edh.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 6-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1922EDH-T1-GE3 si1922edh.pdf
auf Bestellung 8800 Stücke:
Lieferzeit 18-25 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1922EDH-T1-GE3 si1922edh.pdf
auf Bestellung 6600 Stücke:
Lieferzeit 18-25 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1922EDH-T1-GE3 Vishay si1922edh.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 6-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1922EDH-T1-GE3 si1922edh.pdf
SI1922EDH-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SC70-6
auf Bestellung 19971 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+1.12 EUR
10+0.71 EUR
100+0.46 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.32 EUR
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1922EDH-T1-GE3 si1922edh.pdf
SI1922EDH-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
auf Bestellung 15191 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+1.32 EUR
26+0.81 EUR
100+0.52 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1922EDH-T1-GE3 si1922edh.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 6-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1922EDH-T1-GE3 si1922edh.pdf
auf Bestellung 8800 Stücke:
Lieferzeit 18-25 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1922EDH-T1-GE3 si1922edh.pdf
auf Bestellung 6600 Stücke:
Lieferzeit 18-25 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1922EDH-T1-GE3 si1922edh.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 6-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH