SI2302DDS-T1-GE3

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Technische Details SI2302DDS-T1-GE3
Description: MOSFET N-CHAN 20V SOT23, Base Part Number: SI2302, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), Vgs (Max): ±8V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active.
Preis SI2302DDS-T1-GE3 ab 0.56 EUR bis 1.33 EUR
SI2302DDS-T1-GE3 Hersteller: VISHAY Description: VISHAY - SI2302DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 2.6 Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 710 Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: - SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) ![]() |
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SI2302DDS-T1-GE3 Hersteller: VISHAY Material: SI2302DDS-T1-GE3 SMD N channel transistors ![]() ![]() |
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SI2302DDS-T1-GE3 Hersteller: VISHAY Description: VISHAY - SI2302DDS-T1-GE3 - MOSFET, N-CH, 20V, 2.6A, 150DEG C, 0.71W Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 2.6 Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5 Verlustleistung Pd: 710 Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: N Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 850 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) ![]() |
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SI2302DDS-T1-GE3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R ![]() |
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SI2302DDS-T1-GE3 Hersteller: VISHAY Material: SI2302DDS-T1-GE3 SMD N channel transistors ![]() ![]() |
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SI2302DDS-T1-GE3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R ![]() ![]() |
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SI2302DDS-T1-GE3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R ![]() ![]() |
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SI2302DDS-T1-GE3 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CHAN 20V SOT23 Base Part Number: SI2302 Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 710mW (Ta) Vgs (Max): ±8V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Active ![]() |
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SI2302DDS-T1-GE3 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Power Dissipation (Max): 710mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) ![]() |
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SI2302DDS-T1-GE3 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT23-3 Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 710mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Packaging: Cut Tape (CT) ![]() |
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