SI2302DDS-T1-GE3

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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 20V Vds 8V Vgs SOT-23
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Technische Details SI2302DDS-T1-GE3

Description: MOSFET N-CHAN 20V SOT23, Base Part Number: SI2302, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), Vgs (Max): ±8V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active.

Preis SI2302DDS-T1-GE3 ab 0.56 EUR bis 1.33 EUR

SI2302DDS-T1-GE3
SI2302DDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2302DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 2.6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 710
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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SI2302DDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Material: SI2302DDS-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2302DDS-T1-GE3 - MOSFET, N-CH, 20V, 2.6A, 150DEG C, 0.71W
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 2.6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
Verlustleistung Pd: 710
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 850
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: VISHAY
Material: SI2302DDS-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHAN 20V SOT23
Base Part Number: SI2302
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs (Max): ±8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
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SI2302DDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT23-3
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Packaging: Cut Tape (CT)
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