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SI2302DDS-T1-GE3

SI2302DDS-T1-GE3 Vishay Siliconix

si2302dds.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.26 EUR
6000+0.24 EUR
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Technische Details SI2302DDS-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI2302DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, Verlustleistung: 710mW, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm.

Weitere Produktangebote SI2302DDS-T1-GE3 nach Preis ab 0.17 EUR bis 1.19 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI2302DDS-T1-GE3 SI2302DDS-T1-GE3 Vishay si2302dds.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
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3000+0.27 EUR
6000+0.25 EUR
9000+0.2 EUR
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SI2302DDS-T1-GE3 SI2302DDS-T1-GE3 Vishay si2302dds.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
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auf Bestellung 455 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 430 Stücke
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auf Bestellung 4803 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
331+0.54 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.32 EUR
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 331 Stücke
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auf Bestellung 1130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
260+0.68 EUR
414+0.42 EUR
548+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 260 Stücke
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SI2302DDS-T1-GE3 SI2302DDS-T1-GE3 VISHAY si2302dds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 4303 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+0.82 EUR
158+0.54 EUR
193+0.44 EUR
265+0.32 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
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SI2302DDS-T1-GE3 SI2302DDS-T1-GE3 Vishay si2302dds.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1130 Stücke:
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177+1 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2302DDS-T1-GE3 SI2302DDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2302dds.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 22775 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.18 EUR
30+0.73 EUR
100+0.46 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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SI2302DDS-T1-GE3 SI2302DDS-T1-GE3 Vishay Semiconductors si2302dds.pdf MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SOT-23
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10+0.73 EUR
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SI2302DDS-T1-GE3 SI2302DDS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0009156397-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2302DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 710mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
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SI2302DDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.27 EUR
6000+0.24 EUR
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Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 455 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4803 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1130 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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414+0.42 EUR
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 4303 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
105+0.82 EUR
158+0.54 EUR
193+0.44 EUR
265+0.32 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.17 EUR
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SI2302DDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
177+1 EUR
260+0.65 EUR
414+0.39 EUR
548+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
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AnzahlPrivatkunde
18+1.18 EUR
30+0.73 EUR
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SOT-23
auf Bestellung 205456 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3+1.19 EUR
10+0.73 EUR
100+0.46 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.32 EUR
3000+0.27 EUR
6000+0.25 EUR
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SI2302DDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2302DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 710mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
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