SI2305CDS-T1-GE3

SI2305CDS-T1-GE3

Hersteller: VISHAY
P-MOSFET 3.5A 8V 1.25W 0.052? Trans. SI2305DS SOT23 TSI2305ds
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Technische Details SI2305CDS-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 8V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.4A, 4.5V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 8V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Base Part Number: SI2305, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 4V, Vgs (Max): ±8V.

Preis SI2305CDS-T1-GE3 ab 0.75 EUR bis 0.75 EUR

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 8V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 8V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2305CDS Trans MOSFET P-CH 8V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET -8V Vds 8V Vgs SOT-23
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V
Vgs (Max): ±8V
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 4 V
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.4A, 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Base Part Number: SI2305
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 4V
Vgs (Max): ±8V
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 4 V
Vgs (Max): ±8V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
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