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Technische Details SI2305CDS-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI2305CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 5.8 A, 0.028 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 8V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm.
Weitere Produktangebote SI2305CDS-T1-GE3 nach Preis ab 0.14 EUR bis 1.07 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SI2305CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 8V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
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SI2305CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 8V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
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SI2305CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 8V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
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SI2305CDS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -3.5A; Idm: -20A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -8V Drain current: -3.5A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 1.1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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SI2305CDS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -3.5A; Idm: -20A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -8V Drain current: -3.5A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 1.1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2816 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SI2305CDS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -3.5A; Idm: -20A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -8V Drain current: -3.5A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 1.1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SI2305CDS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -3.5A; Idm: -20A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -8V Drain current: -3.5A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 1.1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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SI2305CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 4 V |
auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI2305CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 8V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 299 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2305CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors | MOSFET -8V Vds 8V Vgs SOT-23 |
auf Bestellung 99971 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SI2305CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 4 V |
auf Bestellung 38542 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI2305CDS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2305CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 5.8 A, 0.028 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 8V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm |
auf Bestellung 149790 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2305CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 8V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 299 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2305CDS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2305CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 5.8 A, 0.028 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 8V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm |
auf Bestellung 149790 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2305CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 8V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2305CDS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2305CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 5.8 A, 0.028 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 8V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm |
auf Bestellung 24009 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2305CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
P-MOSFET 3.5A 8V 1.25W 0.052Ω SI2305DS TSI2305ds Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 171 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SI2305CDS-T1-GE3 | Hersteller : KUU | P-MOSFET 8V 5.8A 1.7W 35mΩ SI2305CDS Vishay TSI2305cds |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SI2305CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 8V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
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