
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis |
---|---|
3000+ | 0.15 EUR |
6000+ | 0.14 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SI2305CDS-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI2305CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 5.8 A, 0.028 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 8V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SI2305CDS-T1-GE3 nach Preis ab 0.15 EUR bis 0.77 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SI2305CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
![]() |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI2305CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
![]() |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI2305CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 4 V |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI2305CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
![]() |
auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI2305CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
![]() |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI2305CDS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -3.5A; Idm: -20A Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -8V Drain current: -3.5A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 1.1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2261 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI2305CDS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -3.5A; Idm: -20A Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -8V Drain current: -3.5A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 1.1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2261 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI2305CDS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -3.5A; Idm: -20A Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -8V Drain current: -3.5A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 1.1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® |
auf Bestellung 2261 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI2305CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
![]() |
auf Bestellung 57000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI2305CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 4 V |
auf Bestellung 26538 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI2305CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
![]() |
auf Bestellung 32537 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI2305CDS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 8V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 126758 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
![]() |
SI2305CDS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 8V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 126963 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
![]() |
SI2305CDS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 8V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
![]() |
SI2305CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
![]() |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
SI2305CDS-T1-GE3 | Hersteller : KUU |
![]() Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
SI2305CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 151 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
SI2305CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
![]() |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
||||||||||||||||||
SI2305CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() |
auf Bestellung 3220 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||||
![]() |
SI2305CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
![]() |
SI2305CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |