SI2305DS-T1-E3

SI2305DST1E3

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Technische Details SI2305DST1E3

Description: MOSFET P-CH 8V 3.5A SOT23-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245pF @ 4V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 3.5A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 8V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Part Status: Obsolete, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Mounting Type: Surface Mount.

Preis SI2305DST1E3 ab 0 EUR bis 0 EUR

SI2305DS-T1-E3--
Hersteller: VISHAY

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SI2305DS-T1-E3
SI2305DS-T1-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 8V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2305DS-T1-E3
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SI2305DS Trans MOSFET P-CH 8V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2305DS-T1-E3
SI2305DS-T1-E3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI2305CDS-GE3
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SI2305DS-T1-E3
SI2305DS-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 3.5A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245pF @ 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 3.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Part Status: Obsolete
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Mounting Type: Surface Mount
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SI2305DS-T1-E3
SI2305DS-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 3.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 4 V
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