SI2306BDS-T1-GE3

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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 30V 4.0A 1.25W 47mohm @ 4.5V
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Technische Details SI2306BDS-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 15V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 5V, FET Type: N-Channel, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.5A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.16A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ).

Preis SI2306BDS-T1-GE3 ab 0.82 EUR bis 1.64 EUR

SI2306BDS-T1-GE3
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.16A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.16A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 15V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 5V
FET Type: N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.5A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.16A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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