SI2306BDS-T1-GE3
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Technische Details SI2306BDS-T1-GE3
Description: MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 15V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 5V, FET Type: N-Channel, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.5A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.16A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ).
Preis SI2306BDS-T1-GE3 ab 0.82 EUR bis 1.64 EUR
 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.16A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) 
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 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2306BDS-T1-GE3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2306BDS-T1-GE3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3 Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.16A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3 Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 15V Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 5V FET Type: N-Channel Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.5A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.16A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Technology: MOSFET (Metal Oxide) Part Status: Active Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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auf Bestellung 1662 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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