SI2307CDS-T1-E3
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2080 Stücke
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Technische Details SI2307CDS-T1-E3
Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3, FET Type: P-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 15V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Technology: MOSFET (Metal Oxide).
Preis SI2307CDS-T1-E3 ab 0 EUR bis 0 EUR
 Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2307CDS-T1-E3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET -30V Vds 20V Vgs SOT-23
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SI2307CDS-T1-E3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3 FET Type: P-Channel Part Status: Active Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 15V Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc) FET Type: P-Channel Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V
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