SI2307CDS-T1-E3

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Technische Details SI2307CDS-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3, FET Type: P-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 15V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Technology: MOSFET (Metal Oxide).

Preis SI2307CDS-T1-E3 ab 0 EUR bis 0 EUR

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET -30V Vds 20V Vgs SOT-23
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Hersteller: Vishay
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
FET Type: P-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 15V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V
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