SI2307CDS-T1-GE3

SI2307CDS-T1-GE3

Hersteller: VISHAY
P-MOSFET 30V 3.5A 1.8W 88m? Trans. SI2307CDS SOT23 TSI2307cds
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

si2307cds.pdf si2307cds.pdf
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
auf Bestellung 20 Stücke
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+ 0.52 EUR

Technische Details SI2307CDS-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 15V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Base Part Number: SI2307, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Mounting Type: Surface Mount.

Preis SI2307CDS-T1-GE3 ab 0.52 EUR bis 0.52 EUR

SI2307CDS-T1-GE3
SI2307CDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
si2307cds.pdf
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
SI2307CDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
si2307cds.pdf
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
SI2307CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Material: SI2307CDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
si2307cds.pdf si2307cds.pdf
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
SI2307CDS-T1-GE3
SI2307CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2307CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.073 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 3.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.1
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
2049178.pdf
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
SI2307CDS-T1-GE3
SI2307CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2307CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.138 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 2.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 20
Verlustleistung Pd: 1.1
Bauform - Transistor: TO-236
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.138
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
si2307cds.pdf si2307cds.pdf
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
SI2307CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Material: SI2307CDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
si2307cds.pdf si2307cds.pdf
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
SI2307CDS-T1-GE3
SI2307CDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET -30V Vds 20V Vgs SOT-23
si2307cds-1765177.pdf
auf Bestellung 264900 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
SI2307CDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
si2307cds.pdf si2307cds.pdf
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
SI2307CDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
si2307cds.pdf si2307cds.pdf
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
SI2307CDS-T1-GE3
SI2307CDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
si2307cds.pdf
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
SI2307CDS-T1-GE3
SI2307CDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 15V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Base Part Number: SI2307
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Mounting Type: Surface Mount
si2307cds.pdf
auf Bestellung 50106 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI2307CDS-T1-GE3
SI2307CDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
si2307cds.pdf
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen