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Technische Details SI2307CDS-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V.
Weitere Produktangebote SI2307CDS-T1-GE3 nach Preis ab 0.21 EUR bis 1.19 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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SI2307CDS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
 Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.2A; 1.8W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -2.2A Power dissipation: 1.8W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 138mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SI2307CDS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.2A; 1.8W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -2.2A Power dissipation: 1.8W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 138mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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SI2307CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V |
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SI2307CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V |
auf Bestellung 94030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI2307CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET -30V Vds 20V Vgs SOT-23 |
auf Bestellung 111214 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SI2307CDS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2307CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.073 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm |
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SI2307CDS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2307CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.073 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm |
auf Bestellung 46111 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2307CDS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2307CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.138 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.138ohm |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI2307CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
P-MOSFET 30V 3.5A 1.8W 88mΩ SI2307CDS Vishay TSI2307cds Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
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SI2307CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI2307CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI2307CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI2307CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |