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SI2307CDS-T1-GE3

SI2307CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix

si2307cds.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
auf Bestellung 95325 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.35 EUR
6000+0.31 EUR
9000+0.3 EUR
15000+0.29 EUR
21000+0.27 EUR
30000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Technische Details SI2307CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI2307CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.088 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 1.1W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI2307CDS-T1-GE3 SI2307CDS-T1-GE3 Vishay doc68768.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1897 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
339+0.52 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 339 Stücke
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SI2307CDS-T1-GE3 SI2307CDS-T1-GE3 VISHAY SI2307CDS-T1-GE3.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.2A; 1.8W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.2A
Gate charge: 6.2nC
On-state resistance: 138mΩ
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 1897 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+0.63 EUR
180+0.48 EUR
243+0.35 EUR
271+0.31 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307CDS-T1-GE3 SI2307CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2307cds.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
auf Bestellung 95468 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.46 EUR
24+0.9 EUR
100+0.58 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307CDS-T1-GE3 SI2307CDS-T1-GE3 Vishay Semiconductors si2307cds.pdf MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SOT-23
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.48 EUR
10+0.92 EUR
100+0.58 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.4 EUR
3000+0.35 EUR
6000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307CDS-T1-GE3 SI2307CDS-T1-GE3 Vishay doc68768.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307CDS-T1-GE3 SI2307CDS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010613200-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2307CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.088 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
auf Bestellung 15941 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307CDS-T1-GE3 SI2307CDS-T1-GE3 Vishay doc68768.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307CDS-T1-GE3 SI2307CDS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010613200-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2307CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.088 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
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Verlustleistung: 1.1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
auf Bestellung 15941 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SI2307CDS-T1-GE3 Vishay si2307cds.pdf P-MOSFET 30V 3.5A 1.8W 88mΩ SI2307CDS Vishay TSI2307cds
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 2370 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SI2307CDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1897 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
339+0.52 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 339 Stücke
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SI2307CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.2A; 1.8W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.2A
Gate charge: 6.2nC
On-state resistance: 138mΩ
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 1897 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
136+0.63 EUR
180+0.48 EUR
243+0.35 EUR
271+0.31 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 136 Stücke
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SI2307CDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
auf Bestellung 95468 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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24+0.9 EUR
100+0.58 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SOT-23
auf Bestellung 2900 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3+1.48 EUR
10+0.92 EUR
100+0.58 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.4 EUR
3000+0.35 EUR
6000+0.29 EUR
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SI2307CDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307CDS-T1-GE3 VISH-S-A0010613200-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2307CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2307CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.088 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
auf Bestellung 15941 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307CDS-T1-GE3 doc68768.pdf
SI2307CDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307CDS-T1-GE3 VISH-S-A0010613200-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2307CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2307CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.088 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
auf Bestellung 15941 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307CDS-T1-GE3 si2307cds.pdf
Hersteller: Vishay
P-MOSFET 30V 3.5A 1.8W 88mΩ SI2307CDS Vishay TSI2307cds
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 2370 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH