SI2308CDS-T1-GE3
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Technische Details SI2308CDS-T1-GE3
Description: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3, Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105pF @ 30V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 144mOhm @ 1.9A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ).
Preis SI2308CDS-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR
 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 60V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R 
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SI2308CDS-T1-GE3 Hersteller: VISHAY Material: SI2308CDS-T1-GE3 SMD N channel transistors
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 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET 60V Vds 20V Vgs SOT-23
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auf Bestellung 709776 Stücke  Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SI2308CDS-T1-GE3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 60V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2308CDS-T1-GE3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 60V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2308CDS-T1-GE3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 60V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3 Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105pF @ 30V Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 144mOhm @ 1.9A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Active Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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auf Bestellung 140 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3 Vgs (Max): ±20V Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 144mOhm @ 1.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3 Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 144mOhm @ 1.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT)
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