SI2308CDS-T1-GE3

SI2308CDS-T1-GE3

Hersteller: VISHAY
Material: SI2308CDS-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Technische Details SI2308CDS-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3, Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105pF @ 30V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 144mOhm @ 1.9A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ).

Preis SI2308CDS-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: VISHAY
Material: SI2308CDS-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 60V Vds 20V Vgs SOT-23
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105pF @ 30V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 144mOhm @ 1.9A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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SI2308CDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 144mOhm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 144mOhm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
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