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SI2308CDS-T1-GE3

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Transistoren > MOSFET N-CH

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SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay si2308cds.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si2308cds.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 144mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 30 V
auf Bestellung 42000 Stücke:
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3000+0.19 EUR
6000+0.17 EUR
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15000+0.15 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000
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SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay si2308cds.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si2308cds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.6A; Idm: 6A; 1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 144mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 10467 Stücke:
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132+0.54 EUR
202+0.35 EUR
350+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 132
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SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay si2308cds.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si2308cds.pdf MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SOT-23
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10+0.51 EUR
100+0.33 EUR
500+0.24 EUR
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SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si2308cds.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 144mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 30 V
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35+0.52 EUR
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500+0.25 EUR
1000+0.22 EUR
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SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay si2308cds.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0010924711-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2308CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 23544 Stücke:
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SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay si2308cds.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0010924711-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2308CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 23544 Stücke:
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SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay si2308cds.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay si2308cds.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2308CDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si2308cds.pdf MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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Produktcode: 92752
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PBD-16 (Buchse auf Platte, 2х8, 2,54mm)(KLS1-208-3.5-2-16)
+1
Hersteller: KLS
Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen Überbrückungsstecker
Beschreibung: Buchse 2-Reihen auf Platte gerade, 16 Kontakte 2х8, Schritt 2,54mm, Höhe 3,5mm, 3A, Plattierung: Gold
Stecker/Buchse: Buchse (Steckdose)
Schritt: 2,54mm
Anzahl Reihen: 2-Reihen
Anzahl Kontakte: 16
auf Bestellung 451 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.29 EUR
10+0.24 EUR
100+0.21 EUR
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