SI2312BDS-T1-E3

SI2312BDS-T1-E3

SI2312BDS-T1-E3

Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Channel 20V 3.9A
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Technische Details SI2312BDS-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 4.5V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs (Max): ±8V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V.

Preis SI2312BDS-T1-E3 ab 0.88 EUR bis 1.73 EUR

SI2312BDS-T1-E3
SI2312BDS-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2312BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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SI2312BDS-T1-E3
SI2312BDS-T1-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2312BDS-T1-E3
SI2312BDS-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2312BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 3.9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
Verlustleistung Pd: 750
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 850
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2312BDS-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
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SI2312BDS-T1-E3
SI2312BDS-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Part Status: Active
FET Type: N-Channel
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs (Max): ±8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
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SI2312BDS-T1-E3
SI2312BDS-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
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