SI2312BDS-T1-E3
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Technische Details SI2312BDS-T1-E3
Description: MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 4.5V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs (Max): ±8V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V.
Preis SI2312BDS-T1-E3 ab 0.88 EUR bis 1.73 EUR
 Hersteller: VISHAY Description: VISHAY - SI2312BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) 
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 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: VISHAY Description: VISHAY - SI2312BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 3.9 Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5 Verlustleistung Pd: 750 Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 850 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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SI2312BDS-T1-E3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2312BDS-T1-E3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 4.5V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Technology: MOSFET (Metal Oxide) Part Status: Active FET Type: N-Channel Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs (Max): ±8V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
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auf Bestellung 59263 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
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