| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 228+ | 0.76 EUR |
| 303+ | 0.57 EUR |
| 500+ | 0.43 EUR |
| 1000+ | 0.37 EUR |
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Technische Details SI2312BDS-T1-E3 Vishay
Description: VISHAY - SI2312BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV, Verlustleistung: 750mW, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm.
Weitere Produktangebote SI2312BDS-T1-E3 nach Preis ab 0.25 EUR bis 1.09 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SI2312BDS-T1-E3 | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2312BDS-T1-E3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI2312BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV Verlustleistung: 750mW SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm |
auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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SI2312BDS-T1-E3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI2312BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV Verlustleistung: 750mW SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm |
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Mindestbestellmenge: 18 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SI2312BDS-T1-E3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 159+ | 1.09 EUR |
| 226+ | 0.74 EUR |
| 301+ | 0.54 EUR |
| 500+ | 0.39 EUR |
| 1000+ | 0.33 EUR |
| 3000+ | 0.25 EUR |
| SI2312BDS-T1-E3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2312BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
Description: VISHAY - SI2312BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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| SI2312BDS-T1-E3 |
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Hersteller: VISHAY
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Description: VISHAY - SI2312BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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