SI2315BDS-T1-E3
SI2315BDS-T1-E3
Hersteller: VISHAYP-MOSFET 12V 3A 50m? 750mW Trans. SI2315BDS-T1-E3 SOT23-3 TSI2315bds
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Technische Details SI2315BDS-T1-E3
Description: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3, Manufacturer: Vishay Siliconix, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.85A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715pF @ 6V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Base Part Number: SI2315.
Preis SI2315BDS-T1-E3 ab 0.67 EUR bis 0.67 EUR
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SI2315BDS-T1-E3 Hersteller: VISHAY Material: SI2315BDS-T1-E3 SMD P channel transistors
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 Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2315BDS-T1-E3 Hersteller: VISHAY Material: SI2315BDS-T1-E3 SMD P channel transistors
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 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET 1.8V 3.2A 1.25W
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SI2315BDS-T1-E3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2315BDS-T1-E3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3 Manufacturer: Vishay Siliconix Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.85A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715pF @ 6V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Base Part Number: SI2315
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715pF @ 6V Vgs (Max): ±8V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.85A, 4.5V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Part Status: Active Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
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auf Bestellung 22154 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3 Manufacturer: Vishay Siliconix Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.85A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715pF @ 6V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Base Part Number: SI2315
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auf Bestellung 805 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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