SI2315BDS-T1-E3

SI2315BDS-T1-E3

Hersteller: VISHAY
P-MOSFET 12V 3A 50m? 750mW Trans. SI2315BDS-T1-E3 SOT23-3 TSI2315bds
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Technische Details SI2315BDS-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3, Manufacturer: Vishay Siliconix, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.85A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715pF @ 6V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Base Part Number: SI2315.

Preis SI2315BDS-T1-E3 ab 0.67 EUR bis 0.67 EUR

SI2315BDS-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Material: SI2315BDS-T1-E3 SMD P channel transistors
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: VISHAY
Material: SI2315BDS-T1-E3 SMD P channel transistors
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 1.8V 3.2A 1.25W
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
Manufacturer: Vishay Siliconix
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.85A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715pF @ 6V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Base Part Number: SI2315
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715pF @ 6V
Vgs (Max): ±8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.85A, 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
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SI2315BDS-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
Manufacturer: Vishay Siliconix
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.85A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715pF @ 6V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Base Part Number: SI2315
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