Produkte > VISHAY > SI2315BDS-T1-E3
SI2315BDS-T1-E3

SI2315BDS-T1-E3 Vishay


si2315bd.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SI2315BDS-T1-E3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.85A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V.

Weitere Produktangebote SI2315BDS-T1-E3 nach Preis ab 0.29 EUR bis 1.26 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
SI2315BDS-T1-E3 SI2315BDS-T1-E3 Hersteller : Vishay si2315bd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
SI2315BDS-T1-E3 SI2315BDS-T1-E3 Hersteller : Vishay si2315bd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
SI2315BDS-T1-E3 SI2315BDS-T1-E3 Hersteller : Vishay si2315bd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.42 EUR
6000+ 0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
SI2315BDS-T1-E3 SI2315BDS-T1-E3 Hersteller : Vishay si2315bd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.42 EUR
6000+ 0.37 EUR
12000+ 0.33 EUR
18000+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
SI2315BDS-T1-E3 SI2315BDS-T1-E3 Hersteller : Vishay Siliconix si2315bd.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.85A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V
auf Bestellung 87000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.42 EUR
6000+ 0.4 EUR
9000+ 0.37 EUR
30000+ 0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
SI2315BDS-T1-E3 SI2315BDS-T1-E3 Hersteller : VISHAY SI2315BDS-T1-E3.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; 1.19W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.19W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5073 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
117+0.61 EUR
136+ 0.53 EUR
178+ 0.4 EUR
224+ 0.32 EUR
236+ 0.3 EUR
1000+ 0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 117
SI2315BDS-T1-E3 SI2315BDS-T1-E3 Hersteller : VISHAY SI2315BDS-T1-E3.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; 1.19W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.19W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 5073 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
117+0.61 EUR
136+ 0.53 EUR
178+ 0.4 EUR
224+ 0.32 EUR
236+ 0.3 EUR
1000+ 0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 117
SI2315BDS-T1-E3 SI2315BDS-T1-E3 Hersteller : Vishay Siliconix si2315bd.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.85A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V
auf Bestellung 91745 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
21+1.25 EUR
25+ 1.06 EUR
100+ 0.74 EUR
500+ 0.58 EUR
1000+ 0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 21
SI2315BDS-T1-E3 SI2315BDS-T1-E3 Hersteller : Vishay Semiconductors si2315bd.pdf MOSFET 1.8V 3.2A 1.25W
auf Bestellung 157717 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
42+1.26 EUR
49+ 1.07 EUR
100+ 0.74 EUR
500+ 0.58 EUR
1000+ 0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 42
SI2315BDS-T1-E3 SI2315BDS-T1-E3 Hersteller : Vishay 72014.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI2315BDS-T1-E3 Hersteller : Vishay si2315bd.pdf P-MOSFET 12V 3A 50mΩ 750mW SI2315BDS-T1-E3 Vishay TSI2315bds
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
100+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 100
SI2315BDS-T1-E3 SI2315BDS-T1-E3 Hersteller : Vishay si2315bd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar