SI2328DS-T1-E3

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details SI2328DS-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 730mW (Ta), Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Part Status: Active, FET Type: N-Channel.

Preis SI2328DS-T1-E3 ab 0 EUR bis 0 EUR

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SI2328DS MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3
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SI2328DS MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3
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Trans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 100V Vds 20V Vgs SOT-23
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Part Status: Active
FET Type: N-Channel
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Mounting Type: Surface Mount
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