SI2328DS-T1-E3
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Technische Details SI2328DS-T1-E3
Description: MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 730mW (Ta), Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Part Status: Active, FET Type: N-Channel.
Preis SI2328DS-T1-E3 ab 0 EUR bis 0 EUR
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SI2328DS-T1-E3 Hersteller: SI2328DS MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3 
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SI2328DS-T1-E3 Hersteller: SI2328DS MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3
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SI2328DS-T1-E3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
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 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET 100V Vds 20V Vgs SOT-23
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auf Bestellung 25734 Stücke  Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SI2328DS-T1-E3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
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auf Bestellung 6 Stücke Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3 Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 730mW (Ta) Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR)
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3 Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 730mW (Ta) Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Technology: MOSFET (Metal Oxide) Part Status: Active FET Type: N-Channel
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auf Bestellung 6540 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3 Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 730mW (Ta) Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Active Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Mounting Type: Surface Mount
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