SI2333DDS-T1-GE3
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Technische Details SI2333DDS-T1-GE3
Description: MOSFET P-CH 12V 6A SOT23, Base Part Number: SI2333, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 1.7W (Tc), Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275pF @ 6V, Vgs (Max): ±8V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 8V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V.
Preis SI2333DDS-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR
SI2333DDS-T1-GE3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 12V 6A 3-Pin SOT-23 T/R ![]() |
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SI2333DDS-T1-GE3 Hersteller: VISHAY Description: VISHAY - SI2333DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.023 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12 Dauer-Drainstrom Id: 6 Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5 Verlustleistung Pd: 1.7 Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 400 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) ![]() |
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SI2333DDS-T1-GE3 Hersteller: VISHAY Description: VISHAY - SI2333DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.023 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12 Dauer-Drainstrom Id: 6 Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5 Verlustleistung Pd: 1.7 Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 400 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) ![]() |
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SI2333DDS-T1-GE3 Hersteller: SI2333DDS Trans MOSFET P-CH 12V 5A 3-Pin SOT-23 ![]() ![]() |
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SI2333DDS-T1-GE3 Hersteller: VISHAY Material: SI2333DDS-T1-GE3 SMD P channel transistors ![]() ![]() |
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SI2333DDS-T1-GE3 Hersteller: Vishay Siliconix P-Channel 12V 6A (Tc) 1.2W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) ![]() ![]() |
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SI2333DDS-T1-GE3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 12V 6A 3-Pin SOT-23 T/R ![]() ![]() |
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SI2333DDS-T1-GE3 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET -12V Vds 8V Vgs SOT-23 ![]() |
auf Bestellung 131719 Stücke ![]() Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SI2333DDS-T1-GE3 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 8 V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 1.7W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 6 V ![]() |
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SI2333DDS-T1-GE3 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3 Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 1.7W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 6 V ![]() |
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SI2333DDS-T1-GE3 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 12V 6A SOT23 Base Part Number: SI2333 Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 1.7W (Tc) Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275pF @ 6V Vgs (Max): ±8V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V ![]() |
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