SI2333DDS-T1-GE3

SI2333DDS-T1-GE3

Hersteller: VISHAY
Material: SI2333DDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
si2333dds.pdf si2333dds.pdf
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen

Technische Details SI2333DDS-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 6A SOT23, Base Part Number: SI2333, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 1.7W (Tc), Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275pF @ 6V, Vgs (Max): ±8V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 8V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V.

Preis SI2333DDS-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR

SI2333DDS-T1-GE3
SI2333DDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 12V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
si2333dds.pdf
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
SI2333DDS-T1-GE3
SI2333DDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2333DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.023 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12
Dauer-Drainstrom Id: 6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
Verlustleistung Pd: 1.7
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 400
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
VISH-S-A0010613199-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
SI2333DDS-T1-GE3
SI2333DDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2333DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.023 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12
Dauer-Drainstrom Id: 6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
Verlustleistung Pd: 1.7
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 400
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
VISH-S-A0010613199-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
SI2333DDS-T1-GE3
Hersteller:
SI2333DDS Trans MOSFET P-CH 12V 5A 3-Pin SOT-23
si2333dds.pdf si2333dds.pdf
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
SI2333DDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Material: SI2333DDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
si2333dds.pdf si2333dds.pdf
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
SI2333DDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
P-Channel 12V 6A (Tc) 1.2W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
si2333dds.pdf si2333dds.pdf
auf Bestellung 2 Stücke
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI2333DDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 12V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
si2333dds.pdf si2333dds.pdf
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
SI2333DDS-T1-GE3
SI2333DDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET -12V Vds 8V Vgs SOT-23
si2333dds-1764409.pdf
auf Bestellung 131719 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
SI2333DDS-T1-GE3
SI2333DDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 6 V
si2333dds.pdf
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
SI2333DDS-T1-GE3
SI2333DDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 6 V
si2333dds.pdf
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
SI2333DDS-T1-GE3
SI2333DDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 6A SOT23
Base Part Number: SI2333
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275pF @ 6V
Vgs (Max): ±8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
si2333dds.pdf
auf Bestellung 21715 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)