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SI2333DDS-T1-GE3

SI2333DDS-T1-GE3 Vishay

si2333dds.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 12V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details SI2333DDS-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI2333DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.023 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

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SI2333DDS-T1-GE3 SI2333DDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay si2333dds.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2333DDS-T1-GE3 SI2333DDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si2333dds.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 6 V
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SI2333DDS-T1-GE3 SI2333DDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay si2333dds.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2333DDS-T1-GE3 SI2333DDS-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si2333dds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.2A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.2A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1770 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
121+0.59 EUR
141+0.51 EUR
304+0.24 EUR
321+0.22 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 121
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SI2333DDS-T1-GE3 SI2333DDS-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si2333dds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.2A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.2A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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SI2333DDS-T1-GE3 SI2333DDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si2333dds.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 6 V
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500+0.31 EUR
1000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 19
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SI2333DDS-T1-GE3 SI2333DDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si2333dds.pdf MOSFETs -12V Vds 8V Vgs SOT-23
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10+0.66 EUR
100+0.43 EUR
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1000+0.29 EUR
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Mindestbestellmenge: 3
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SI2333DDS-T1-GE3 SI2333DDS-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0010613199-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2333DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.023 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 5394 Stücke:
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SI2333DDS-T1-GE3 SI2333DDS-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0010613199-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2333DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.023 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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SI2333DDS-T1-GE3 SI2333DDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay si2333dds.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 23460 Stücke:
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SI2333DDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay si2333dds.pdf Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 150mOhm; 6A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Replacement: SI2333DDS-T1-BE3; SI2333DDS-T1; SI2333DDS-T1-GE3 Vishay TSI2333dds
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Anzahl Preis
100+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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SI2333DDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si2333dds.pdf P-Channel 12V 6A (Tc) 1.2W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
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