SI2337DS-T1-E3

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 80V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details SI2337DS-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), 2.5W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 40V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Part Status: Active.

Preis SI2337DS-T1-E3 ab 0 EUR bis 0 EUR

SI2337DS-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Material: SI2337DS-T1-E3 SMD P channel transistors
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Hersteller:
SI2337DS-T1-E3 MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
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Material: SI2337DS-T1-E3 SMD P channel transistors
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET -80V Vds 20V Vgs SOT-23
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 40 V
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), 2.5W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 40V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Part Status: Active
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 40 V
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