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Technische Details SI2337DS-T1-E3 Vishay
Description: VISHAY - SI2337DS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 2.2 A, 0.216 ohm, TO-236, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 760mW, Bauform - Transistor: TO-236, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.216ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote SI2337DS-T1-E3 nach Preis ab 0.65 EUR bis 2.35 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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SI2337DS-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 40 V |
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SI2337DS-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2337DS-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 58055 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2337DS-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 40 V |
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SI2337DS-T1-E3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET -80V Vds 20V Vgs SOT-23 |
auf Bestellung 100353 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SI2337DS-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2337DS-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2337DS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 2.2 A, 0.216 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 760mW Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.216ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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SI2337DS-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2337DS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 2.2 A, 0.216 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 760mW Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.216ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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SI2337DS-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2337DS-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
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SI2337DS-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -2.2A; Idm: -7A; 1.6W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -80V Drain current: -2.2A Pulsed drain current: -7A Power dissipation: 1.6W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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SI2337DS-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -2.2A; Idm: -7A; 1.6W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -80V Drain current: -2.2A Pulsed drain current: -7A Power dissipation: 1.6W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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