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SI2337DS-T1-E3

SI2337DS-T1-E3 VISHAY

VISH-S-A0010613195-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2337DS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 2.2 A, 0.27 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Technische Details SI2337DS-T1-E3 VISHAY

Description: VISHAY - SI2337DS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 2.2 A, 0.27 ohm, TO-236, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 760mW, Bauform - Transistor: TO-236, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI2337DS-T1-E3 SI2337DS-T1-E3 VISHAY VISH-S-A0010613195-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2337DS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 2.2 A, 0.27 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
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SI2337DS-T1-E3 SI2337DS-T1-E3 Vishay si2337ds.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2337DS-T1-E3 SI2337DS-T1-E3 VISHAY 2045706.pdf Description: VISHAY - SI2337DS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 2.2 A, 0.27 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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SI2337DS-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2337DS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 2.2 A, 0.27 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Description: VISHAY - SI2337DS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 2.2 A, 0.27 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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