SI2343CDS-T1-GE3

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details SI2343CDS-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-23, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 15V, Vgs (Max): ±20V.

Preis SI2343CDS-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR

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Hersteller: VISHAY
Material: SI2343CDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
Material: SI2343CDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Hersteller:
SI2343CDS MOSFET P-CH 30V SOT-23
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET -30V Vds 20V Vgs SOT -23
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT23-3
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 15V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-23
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 15V
Vgs (Max): ±20V
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT23-3
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 15V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
Part Status: Active
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
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