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SI2343CDS-T1-GE3

SI2343CDS-T1-GE3 Vishay

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details SI2343CDS-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI2343CDS-T1-GE3 - MOSFET, P CHANNEL, -30V, -5.9A, SOT-23-3, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Surface Mount, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: P Channel, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, directShipCharge: 25.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI2343CDS-T1-GE3 SI2343CDS-T1-GE3 Vishay si2343cd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2343CDS-T1-GE3 SI2343CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2343cd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
auf Bestellung 72000 Stücke:
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21000+0.32 EUR
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SI2343CDS-T1-GE3 SI2343CDS-T1-GE3 Vishay si2343cd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2343CDS-T1-GE3 SI2343CDS-T1-GE3 Vishay si2343cd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2343CDS-T1-GE3 SI2343CDS-T1-GE3 VISHAY si2343cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.9A; Idm: -25A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.9A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2183 Stücke:
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77+1.11 EUR
106+0.81 EUR
148+0.57 EUR
172+0.5 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
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SI2343CDS-T1-GE3 SI2343CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2343cd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
auf Bestellung 72193 Stücke:
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13+1.7 EUR
20+1.05 EUR
100+0.68 EUR
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SI2343CDS-T1-GE3 SI2343CDS-T1-GE3 Vishay Semiconductors si2343cd.pdf MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SOT-23
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500+0.52 EUR
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SI2343CDS-T1-GE3 SI2343CDS-T1-GE3 VISHAY SILXS11685-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2343CDS-T1-GE3 - MOSFET, P CHANNEL, -30V, -5.9A, SOT-23-3
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
directShipCharge: 25
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83+3.02 EUR
114+2.03 EUR
138+1.56 EUR
175+1.23 EUR
250+1.06 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.81 EUR
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2343CDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
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Trans MOSFET P-CH 30V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 883 Stücke:
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366+0.48 EUR
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 883 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
321+0.55 EUR
366+0.46 EUR
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SI2343CDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5728 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
334+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 334 Stücke
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.9A; Idm: -25A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.9A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2183 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
77+1.11 EUR
106+0.81 EUR
148+0.57 EUR
172+0.5 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
auf Bestellung 72193 Stücke:
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20+1.05 EUR
100+0.68 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SOT-23
auf Bestellung 14726 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2+1.71 EUR
10+1.06 EUR
100+0.69 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
3000+0.4 EUR
6000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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SI2343CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2343CDS-T1-GE3 - MOSFET, P CHANNEL, -30V, -5.9A, SOT-23-3
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 4263 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
83+3.02 EUR
114+2.03 EUR
138+1.56 EUR
175+1.23 EUR
250+1.06 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 83 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH