SI2343DS-T1-GE3

SI2343DS-T1-GE3

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details SI2343DS-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT-23, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Base Part Number: SI2343, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 15V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $).

Preis SI2343DS-T1-GE3 ab 0.38 EUR bis 1.06 EUR

SI2343DS-T1-GE3
SI2343DS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2343DS-T1-GE3 - P CHANNEL MOSFET, -30V, 4A, TO-236
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 750
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.053
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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SI2343DS-T1-GE3
SI2343DS-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 30V 4.0A 1.25W 53mohm @ 10V
VISH_S_A0010924639_1-2571407.pdf
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SI2343DS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2343DS-T1-GE3
SI2343DS-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
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SI2343DS-T1-GE3
SI2343DS-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT-23
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Base Part Number: SI2343
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 15V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
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SI2343DS-T1-GE3
SI2343DS-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
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