SI2351DS-T1-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SI2351DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.092 ohm, TO-236, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20, Dauer-Drainstrom Id: 3, hazardous: false, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1, Bauform - Transistor: TO-236, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.092, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092, SVHC: No SVHC (16-Jan-2020).