SI2351DS-T1-GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAYDescription: VISHAY - SI2351DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.092 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 3
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.092
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
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Technische Details SI2351DS-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SI2351DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.092 ohm, TO-236, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20, Dauer-Drainstrom Id: 3, hazardous: false, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1, Bauform - Transistor: TO-236, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.092, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092, SVHC: No SVHC (16-Jan-2020).
Weitere Produktangebote SI2351DS-T1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SI2351DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 10 V |
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SI2351DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI2301CDS-T1-GE3 |
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