SI2371EDS-T1-GE3

SI2371EDS-T1-GE3

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 4.8A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details SI2371EDS-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 4.8A SOT-23, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Supplier Device Package: SOT-23, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc), Vgs (Max): ±12V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V, Base Part Number: SI2371, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Part Status: Active.

Preis SI2371EDS-T1-GE3 ab 0.17 EUR bis 0.61 EUR

SI2371EDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Material: SI2371EDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Trans MOSFET P-CH 30V 4.8A 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: VISHAY
Material: SI2371EDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET -30V Vds 12V Vgs SOT-23
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SI2371EDS-T1-GE3
SI2371EDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 4.8A SOT-23
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs (Max): ±12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Manufacturer: Vishay Siliconix
Base Part Number: SI2371
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package: SOT-23
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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SI2371EDS-T1-GE3
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 4.8A SOT-23
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Base Part Number: SI2371
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package: SOT-23
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs (Max): ±12V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Part Status: Active
Packaging: Cut Tape (CT)
Manufacturer: Vishay Siliconix
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 4.8A SOT-23
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Supplier Device Package: SOT-23
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs (Max): ±12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V
Base Part Number: SI2371
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Part Status: Active
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