Produkte > VISHAY > SI2371EDS-T1-GE3
SI2371EDS-T1-GE3

SI2371EDS-T1-GE3 Vishay


si2371eds.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 4.8A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SI2371EDS-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI2371EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.8 A, 0.037 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.7W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Weitere Produktangebote SI2371EDS-T1-GE3 nach Preis ab 0.10 EUR bis 0.63 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SI2371EDS-T1-GE3 SI2371EDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay si2371eds.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.8A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2371EDS-T1-GE3 SI2371EDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si2371eds.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4.8A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.13 EUR
9000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2371EDS-T1-GE3 SI2371EDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay si2371eds.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.8A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1042+0.14 EUR
1219+0.12 EUR
1286+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1042
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2371EDS-T1-GE3 SI2371EDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay si2371eds.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.8A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2371EDS-T1-GE3 SI2371EDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay si2371eds.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.8A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2371EDS-T1-GE3 SI2371EDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si2371eds.pdf MOSFETs -30V Vds 12V Vgs SOT-23
auf Bestellung 749291 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+0.55 EUR
10+0.36 EUR
100+0.21 EUR
1000+0.16 EUR
3000+0.15 EUR
9000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2371EDS-T1-GE3 SI2371EDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si2371eds.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4.8A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
auf Bestellung 15202 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+0.63 EUR
50+0.35 EUR
100+0.23 EUR
500+0.20 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2371EDS-T1-GE3 SI2371EDS-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0010613187-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2371EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.8 A, 0.037 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2919 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2371EDS-T1-GE3 SI2371EDS-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0010613187-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2371EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.8 A, 0.037 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2919 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2371EDS-T1-GE3 SI2371EDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay si2371eds.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.8A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2371EDS-T1-GE3 SI2371EDS-T1-GE3 Hersteller : Vishay si2371eds.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.8A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2371EDS-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si2371eds.pdf SI2371EDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH