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Technische Details SI2387DS-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SI2387DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 3 A, 0.137 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.137ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.137ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote SI2387DS-T1-GE3 nach Preis ab 0.91 EUR bis 1.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||
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SI2387DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: P-CHANNEL -80V SOT-23, 164 M @ 1Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 164mOhm @ 2.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395 pF @ 40 V |
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SI2387DS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2387DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 3 A, 0.137 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.137ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.137ohm |
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SI2387DS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2387DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 3 A, 0.137 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.137ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.137ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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| SI2387DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 2.1A T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI2387DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI2387DS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -3A; Idm: -10A Mounting: SMD Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 10.2nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -10A Case: SOT23 Drain-source voltage: -80V Drain current: -3A On-state resistance: 242mΩ Type of transistor: P-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SI2387DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: P-CHANNEL -80V SOT-23, 164 M @ 1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 164mOhm @ 2.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395 pF @ 40 V |
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| SI2387DS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -3A; Idm: -10A Mounting: SMD Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 10.2nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -10A Case: SOT23 Drain-source voltage: -80V Drain current: -3A On-state resistance: 242mΩ Type of transistor: P-MOSFET |
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