SI2387DS-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL -80V SOT-23, 164 M @ 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 164mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395 pF @ 40 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.24 EUR |
| 6000+ | 0.22 EUR |
| 9000+ | 0.20 EUR |
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Technische Details SI2387DS-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI2387DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 3 A, 0.137 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.137ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.137ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SI2387DS-T1-GE3 nach Preis ab 0.20 EUR bis 1.02 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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SI2387DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFET SOT-23 |
auf Bestellung 89168 Stücke: Lieferzeit 234-238 Tag (e) |
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SI2387DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: P-CHANNEL -80V SOT-23, 164 M @ 1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 164mOhm @ 2.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395 pF @ 40 V |
auf Bestellung 12921 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI2387DS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2387DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 3 A, 0.137 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.137ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 15903 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2387DS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2387DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 3 A, 0.137 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.137ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.137ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 15903 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI2387DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 2.1A T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2387DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI2387DS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SI2387DS-T1-GE3 SMD P channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |